半导体与新能源测试解决方案:TH199X全系型号配置与厂家供应
TH199X系列的价值不在于“一台设备通吃”,而在于7个型号形成的量程与精度梯度,使不同测试场景可以找到成本和性能的平衡点。以下从三类典型行业检测场景出发,说明型号选择与配置逻辑。
场景一:功率半导体(SiC/GaNMOSFET、IGBT)I-V特性与导通电阻测试
功率半导体测试的核心需求是脉冲大电流与低电阻精确测量。TH199X系列中,TH1991B/A/TH1992B/A/TH1991/TH1992均支持±10.5A脉冲电流,脉冲宽度最小50μs。脉冲测试的意义在于:在极短时间内施加大电流,避免器件自热对Rds(on)读数的影响。TH199X同时具备Delta低电阻测试方法,用于补偿热电动势引起的直流偏移误差。双通道型号TH1992B/A/TH1992在此场景中有额外价值:通道1可配置为栅极电压源(Vgs),通道2配置为漏极电压/电流源(Vds/Id),两通道同步工作,避免分立仪器之间的时序偏差。
场景二:电池/超级电容CC-CV充电曲线复刻与容量评估
复刻真实充电曲线的关键,是设备能否在恒流(CC)与恒压(CV)之间自动、硬件级切换。TH199X全系支持这一功能:设定电压限值后,硬件自动在CC阶段输出恒定电流,电压触及限值时钳位并转入CV,电流自然衰减。在这一场景中,TH1991C即可满足基础需求(电池电压通常远低于±63V,电流需求通常在±1.515A以内)。若电池包电压较高或需要脉冲测试,则升级至TH1991B/A/TH1992B/A。极限精度版本(TH1991/TH1992)的10fA分辨率在此场景中并非必需,除非同时需要评估电池的微安级漏电流。
场景三:光伏组件I-V特性扫描
光伏电池的I-V扫描需要源表在四象限内连续工作:从短路电流(Isc)到开路电压(Voc)的整条曲线上,源表需要在“输出功率”和“吸收功率”之间平滑过渡。TH199X的四象限架构直接支持这一需求。电压范围上,TH1991C的±63V覆盖多数单结光伏组件;若测试叠层组件或高压模组,需选择±210V型号。
配置建议
针对功率半导体脉冲I-V与Rds(on)测试,建议选用TH1991B/A或双通道的TH1992B/A,以满足±10.5A脉冲和Delta低电阻测试需求;针对常规电压和电流下的电池CC-CV曲线测试,TH1991C可作为基础选择,若需更高电压扩展则选用TH1991B;若电池测试涉及微漏电流与CC-CV双重需求,则需选用TH1991或TH1992。对于单结光伏组件I-V扫描,TH1991C或TH1991B即可胜任;若需光伏与功率器件的双通道同步测试,则应配置TH1992B、TH1992A或TH1992。在上述所有涉及低电阻或大电流的测试中,强烈建议使用四线制(Force+Sense)连接,以消除引线电阻对测量结果的干扰;仅在电流较小、引线电阻影响可忽略的简易测试中,二线制才是可接受的折中。
如您的产线或实验室涉及上述场景,欢迎联系银飞电子工作人员,根据具体器件参数定制配置方案。



3183402039