精准触达5GHz:TH2852/TH2853系列拓展射频测试技术应用新边界
当5G毫米波商用进入规模化落地关键期,6G太赫兹预研、第三代半导体材料攻关的节奏持续加快,国内科研与产业端长期面临的1-5GHz高精度射频测试"卡脖子"痛点,终于迎来本土化解决方案。由同惠电子基于三十余年阻抗测试技术积累打造的TH2852系列射频阻抗分析仪与TH2853系列射频LCR测试仪正式上市——这不仅是两台仪器的发布,更是一整套面向射频前沿领域的国产测量技术应用方案。
核心技术底座:射频I-V法带来的四项硬指标
TH2852/TH2853系列的核心突破,在于采用射频I-V法直接采样实时计算,从根源规避了传统电桥在高频场景下因复杂平衡校准带来的寄生参数相位漂移与杂散误差。基于此,两款产品实现了对国际同类产品的四项核心指标超越:
核心指标 | 当前国际领先产品 | |
|---|---|---|
测试频率 | 1MHz-5GHz | 1MHz-3GHz |
阻抗测量范围 | 120mΩ-60kΩ | 120mΩ-60kΩ |
基本测量精度 | ±0.3%(典型值) | 0.45% |
测试速度 | 最快0.4ms/点 | 0.9ms/点 |
频率设置分辨率高达1mHz(TH2852),意味着可在极窄频带内精细扫描,完美满足晶体谐振器、声表面波滤波器等对频率精度要求极高的测量需求。
这套硬件底座只是起点。真正让TH2852/TH2853在技术应用层面形成方案化能力的,是其内置的深度分析功能矩阵:
曲线扫描:1MHz-5GHz全频段扫频,将射频器件的复杂行为可视化
等效电路分析:提供7种基本电路模型,将复杂射频结构抽象为三参数四种模型或四参数三种模型
介电常数分析(选件):需选配测试夹具及分析软件,揭示材料与电场相互作用全貌
磁导率测量(选件):需选配测试夹具及磁导率分析软件,解锁材料对磁场响应的窗口
史密斯圆图:一张图完成阻抗匹配、传输线计算、驻波比、反射损耗、负载变换、匹配网络设计
技术应用方案详解
方案一:5G/6G无线通信——从天线到射频前端模块的阻抗匹配闭环
在5G/6G基站天线调谐、手机端射频前端模块(PA、滤波器、双工器)的输入输出阻抗匹配场景中,阻抗参数直接决定信号传输效率。常规阻抗测试设备的有效工作频段大多仅到1GHz,超出后测试误差陡增,研发人员只能反复试错调整匹配电路。
TH2852的应用方案路径:
利用1MHz-5GHz全频段覆盖,直接在被测器件的目标工作频点抓取真实阻抗特性
通过史密斯圆图功能实时设计匹配网络,将反复试错的"盲调"变为可视化精准设计
借助1mHz频率分辨率的精细扫频,定位声表面波滤波器、晶体谐振器的精确谐振点
使用等效电路分析将滤波器、双工器抽象为简化模型,作为高效系统仿真核心基础
对于产线端的射频前端模块批量检测,TH2853以点测模式+列表扫描模式组合,在单一或多频率点快速读取LCR参数,最快0.4ms/点的测试速度可大幅提升产线效率。
方案二:汽车电子——77GHz雷达前端的中频阻抗表征与连接器测试
车载毫米波雷达的产业链中,天线与传输线特性分析、高频连接器测试是核心环节。虽然雷达工作频率上探到77GHz,但其前端电路、馈电网络、高频连接器的设计与验证大量落在1-5GHz频段内。
应用方案要点:
利用TH2852的曲线扫描模式,清晰展示高频连接器阻抗、相位随频率的变化曲线
基于±0.3%基本精度对传输线特性进行可信测量,满足汽车电子严苛的可靠性要求
对天线馈电网络进行史密斯圆图匹配设计,确保雷达信号的高效辐射
TH2853的点测+列表扫描组合模式,适配产线高频连接器的批量入厂检验
方案三:半导体与材料——第三代半导体攻关的国产测量基座
这是TH2852/TH2853最具技术深度的应用场景。LTCC/HTCC基板介电常数与损耗角正切测量、铁氧体材料磁导率表征、EMI抑制磁珠的频率特性分析——每一项都需要1-5GHz频段的高精度测试能力。
LTCC/HTCC基板材料表征方案
LTCC与HTCC作为两大主流多层陶瓷封装技术,其高频特性差异显著:
特性 | LTCC(玻璃陶瓷系) | HTCC(氧化铝96%) | HTCC(氮化铝) |
|---|---|---|---|
烧结温度 | 850-900°C | 1500-1600°C | 1650-1800°C |
介电常数(εr) | 5.0-7.5 | 9.1-9.4 | 8.5-8.9 |
损耗角正切 | 0.001-0.002@10GHz | 0.0003@10GHz | 0.0005@10GHz |
热导率 | 2-5 W/m·K | 24-28 W/m·K | 140-180 W/m·K |
数据来源:
TH2852的介电常数分析选件+磁导率测量选件,配合相应测试夹具与分析软件,可直接在1MHz-5GHz频段内:
测量LTCC/HTCC基板的介电常数εr与损耗角正切tanδ,为高频基板选型提供精准数据
表征铁氧体材料的磁导率频变特性,支撑射频磁性器件开发
分析EMI抑制磁珠的阻抗-频率特性曲线,验证其噪声抑制带宽
介电常数分析与磁导率测量为选件功能,需在主机基础上选配对应测试夹具及分析软件。
GaN/SiC第三代半导体器件表征配套方案
对于GaN高电子迁移率晶体管、SiC高频功率器件,其衬底材料的高频介电常数、介电损耗正切、相对磁导率等参数,都需要在1-5GHz频段完成精准测试才能建立材料模型。TH2852可无缝嵌入第三代半导体器件的测试表征系统,为建立精准器件仿真模型提供基础材料参数。
同时,TH2852提供的7种等效电路模型,可将复杂的射频功率器件抽象为简化模型,精准复现端口参数——这是建立SPICE等效电路模型的关键第一步。
方案四:产线质控——高速、易用、可追溯的量产验证方案
高频无源器件的量产验证效率低,一直是困扰企业的痛点。TH2853以实用型定位,提供了完整的产线应用方案:
点测模式:单一频率下快速读取LCR参数,适配产线节拍
列表扫描模式:设定多个频率点,一次性读取不同频率下的参数,适配多规格产品的快速切换
曲线扫描模式:展示阻抗、相位等关键曲线随频率的变化,用于宽带器件性能的快速评估
精心设计的操作界面:即使是初次接触射频LCR测试的用户也能快速上手
配合本次首发购机专属福利——两年内免费享1次专业校准服务,保障仪器测量精度,数据稳定可溯源,完全满足科研实验、项目结题、产品检测的严苛要求。
为什么这套方案具有"国产替代"意义
射频阻抗测量技术迭代始终紧跟通信产业变革。国产仪器正式突破5GHz大关,绝非频率数字升级,而是射频I-V法、高精度校准算法等核心技术的全面突破。
长期以来,国内5G/6G射频前端、GaN/SiC功率器件的研发场景里,高频阻抗测量严重依赖进口高端设备——采购成本高、供货周期长,后续的定制化适配和售后维护也很难跟上,部分细分测试场景甚至没有适配的成熟方案。TH2852/TH2853系列的上市,填补了国内在5GHz射频阻抗分析仪与高频LCR测试仪的产品空白,为半导体器件测试、材料表征筑牢国产高端仪器的底层支撑。
从技术应用视角看,TH2852/TH2853的价值不止于"一台仪器",而是提供了从研发验证→材料表征→系统仿真→产线质控的全链条国产测量方案。
当5G毫米波商用规模落地、6G预研提速、第三代半导体攻关进入深水区,测量仪器不再是研发的"配角",而是决定迭代速度的"关键变量"。TH2852系列射频阻抗分析仪与TH2853系列射频LCR测试仪的上市,标志着国产仪器在1-5GHz高精度射频测试领域正式具备了方案级交付能力——它既能深入实验室洞察器件本质特性,也能扎根产线提供高速可靠的质控方案,更能为LTCC/HTCC基板、铁氧体材料、EMI磁珠等基础电子材料的表征提供精准数据基座。以本土技术支撑,筑牢射频研发测量根基——这不仅是同惠电子的产品宣言,更是中国射频产业链向着自主可控迈出的坚实一步,文章来源于电能质量分析仪。


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